Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 21 A, PG-HDSOP-10, 表面安装, 10引脚, IPDD60R180CM8XTMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 348-991
- 制造商零件编号:
- IPDD60R180CM8XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 348-991
- 制造商零件编号:
- IPDD60R180CM8XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 21A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-HDSOP-10 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.331Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 169W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 21A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-HDSOP-10 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 10 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.331Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 169W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS 第 8 代平台是高电压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计，由 Infineon Technologies 首创。600V CoolMOS CM8 系列是 CoolMOS 7 的后续产品。它兼具快速开关 SJ MOSFET 的优点和卓越的易用性，例如低振铃趋势、可为所有产品实施快速体二极管，具有卓越的抗硬换向稳健性和卓越的 ESD 能力。此外，CM8 的开关和传导损耗极低，开关应用因此更加高效。
适用于硬开关和软开关拓扑
低振铃趋势，易于使用和快速设计
我们先进的芯片贴装技术可简化热管理
适用于多种应用和功率范围
通过使用体积更小的产品来实现更高功率密度的解决方案