Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 90 A, PG-HDSOP-22, 表面安装, 22引脚, IPDQ60T022S7XTMA1, IPD系列
- RS 库存编号:
- 348-998
- 制造商零件编号:
- IPDQ60T022S7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥118.69
(不含税)
¥134.12
(含税)
有库存
- 750 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB118.69 |
| 10 - 99 | RMB106.82 |
| 100 + | RMB98.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 348-998
- 制造商零件编号:
- IPDQ60T022S7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 90A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | PG-HDSOP-22 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 22 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 22mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 150nC | |
| 最大功耗 Pd | 416W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.82V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | JEDEC, JS-001, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 90A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 PG-HDSOP-22 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 22 | ||
最大漏源电阻 Rd 22mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 150nC | ||
最大功耗 Pd 416W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.82V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 JEDEC, JS-001, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS S7T 可为低频开关应用提供卓越的性价比。嵌入式温度传感器可提高结温传感的准确性和稳健性，同时保持简单无缝的实施。CoolMOS S7T 针对静态开关和高电流应用进行了优化。新的温度传感器增强了 S7 功能，可最大限度利用功率晶体管。
增强了系统性能
增强了系统性能
设计更紧凑、更简单
可在更长的使用寿命期限内削减物料清单 (BOM) 或总拥有成本 (TCO)
更高的可靠性和更长的系统寿命