Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 390 A, HybridPACK Drive G2, 螺钉接线端子安装, FS02MR12A8MA2BBPSA1, HybridPACK Drive G2系列

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RS 库存编号:
349-031
制造商零件编号:
FS02MR12A8MA2BBPSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

390A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

HybridPACK Drive G2

包装类型

HybridPACK Drive G2

安装类型

螺钉接线端子

最大漏源电阻 Rd

5.5mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

6.4V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

200°C

标准/认证

UL 94 V0, RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
DE
Infineon HybridPACK Drive G2 CoolSiC G2 模块是一款高度紧凑的 B6 桥式电源模块,其增强型封装针对各种反相器功率等级进行了优化。这款电源模块采用第二代 CoolSiC 汽车 MOSFET 1200V,针对从中高端汽车功率等级到高端商用、建筑用和农用车辆等电动传动系统应用进行了优化。

紧凑型设计

高功率密度

直冷式 PinFin 底板

高性能 Si3N4 陶瓷

PCB 和冷却器组装指南

集成有温度传感二极管