制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=390 A, HybridPACK Drive G2, HybridPACK Drive G2系列

RS 库存编号:: 349-031
制造商零件编号:: FS02MR12A8MA2BBPSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=390 A, HybridPACK Drive G2, HybridPACK Drive G2系列

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RS 库存编号:: 349-031
制造商零件编号:: FS02MR12A8MA2BBPSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	390A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	包装类型	HybridPACK Drive G2
	系列	HybridPACK Drive G2
	安装类型	螺钉接线端子
	最大漏源电阻 Rd	5.5mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	6.4V
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	200°C
	标准/认证	UL 94 V0, RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 390A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	包装类型 HybridPACK Drive G2
	系列 HybridPACK Drive G2
	安装类型螺钉接线端子
	最大漏源电阻 Rd 5.5mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 6.4V
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 200°C
	标准/认证 UL 94 V0, RoHS
	汽车标准否

Datasheet - FS02MR12A8MA2BBPSA1

COO (Country of Origin):: DE

Infineon HybridPACK Drive G2 CoolSiC G2 模块是一款高度紧凑的 B6 桥式电源模块，其增强型封装针对各种反相器功率等级进行了优化。这款电源模块采用第二代 CoolSiC 汽车 MOSFET 1200V，针对从中高端汽车功率等级到高端商用、建筑用和农用车辆等电动传动系统应用进行了优化。

紧凑型设计

高功率密度

直冷式 PinFin 底板

高性能 Si3N4 陶瓷

PCB 和冷却器组装指南

集成有温度传感二极管

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=390 A, HybridPACK Drive G2, HybridPACK Drive G2系列

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