Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650V, 142A, PG-HDSOP-16, 贴片安装, 16引脚, IML系列
- RS 库存编号:
- 349-047
- 制造商零件编号:
- IMLT65R015M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
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- RS 库存编号:
- 349-047
- 制造商零件编号:
- IMLT65R015M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 142A | |
| 最大漏源电压 | 650V | |
| 封装类型 | PG-HDSOP-16 | |
| 系列 | IML | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 142A | ||
最大漏源电压 650V | ||
封装类型 PG-HDSOP-16 | ||
系列 IML | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 16 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 SiC | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET 650V G2 采用 Infineon 强大的第 2 代碳化硅沟槽技术，可提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。这款 MOSFET 的设计旨在满足现代电力系统的需求，可实现经济高效且简化的设计。它是满足电力系统和市场持续增长的需求的理想解决方案，可为各种应用提供高性能和能源效率。
开关损耗超低
即使关断栅极电压为 0V，也能稳健抵抗寄生导通
驱动电压灵活，兼容双极驱动方案
体二极管在硬换向事件下运行稳健
.XT 互连技术，可实现卓越的热性能
即使关断栅极电压为 0V，也能稳健抵抗寄生导通
驱动电压灵活，兼容双极驱动方案
体二极管在硬换向事件下运行稳健
.XT 互连技术，可实现卓越的热性能