Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 26 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IMT65R107M1HXUMA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 349-054
- 制造商零件编号:
- IMT65R107M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥107.99
(不含税)
¥122.028
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB53.995 | RMB107.99 |
| 20 - 198 | RMB48.59 | RMB97.18 |
| 200 + | RMB44.85 | RMB89.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-054
- 制造商零件编号:
- IMT65R107M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 26A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 141mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最大功耗 Pd | 138W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 26A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolSiC | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 141mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最大功耗 Pd 138W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET 650V G1 基于 Infineon 20 多年来开发的固体碳化硅技术打造。通过利用宽带隙 SiC 材料的独特特性，650V CoolSiC MOSFET 可实现性能、可靠性和易用性的卓越组合。其设计可承受高温和恶劣的运行条件，适用于严苛应用。这款 MOSFET 能够以最高效率简化且经济高效地部署系统，可满足现代电力电子日益增长的需求。
优化了更高电流下的开关行为
体二极管具有低 Qfr，换向稳健快速
增强了雪崩能力
与标准驱动程序兼容
开尔文源可将开关损耗降低 4 倍