Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 43 A, PG-LHSOF-4, 表面安装, 4引脚, IMTA65R050M2HXTMA1, IMT系列
- RS 库存编号:
- 349-058
- 制造商零件编号:
- IMTA65R050M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB67.32 |
| 10 - 99 | RMB60.61 |
| 100 - 499 | RMB55.84 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-058
- 制造商零件编号:
- IMTA65R050M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 43A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-LHSOF-4 | |
| 系列 | IMT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 62mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最大功耗 Pd | 197W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 43A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-LHSOF-4 | ||
系列 IMT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 62mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最大功耗 Pd 197W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC MOSFET 650V G2 采用 Infineon 强大的第 2 代碳化硅沟槽技术，可提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。这款 MOSFET 可实现具有成本效益、高效率且简化的设计，适用于满足现代电力系统和市场不断增长的需求。其先进的技术可为在各种应用中实现高系统效率提供强大的解决方案。
开关损耗超低
即使关断栅极电压为 0V，也能稳健抵抗寄生导通
驱动电压灵活，兼容双极驱动方案
体二极管在硬换向事件下运行稳健
.XT 互连技术，可实现卓越的热性能