制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=43 A, 4针, PG-LHSOF-4, IMT系列

RS 库存编号:: 349-058
制造商零件编号:: IMTA65R050M2HXTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=43 A, 4针, PG-LHSOF-4, IMT系列

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单位	每单位
1 - 9	RMB49.77
10 - 99	RMB44.81
100 - 499	RMB41.28
500 - 999	RMB38.33
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* 参考价格

RS 库存编号:: 349-058
制造商零件编号:: IMTA65R050M2HXTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	43A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	PG-LHSOF-4
	系列	IMT
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	62mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	25V
	最大功耗 Pd	197W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	22nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 43A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 PG-LHSOF-4
	系列 IMT
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 62mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 25V
	最大功耗 Pd 197W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IMTA65R050M2HXTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon CoolSiC MOSFET 650V G2 采用 Infineon 强大的第 2 代碳化硅沟槽技术，可提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。这款 MOSFET 可实现具有成本效益、高效率且简化的设计，适用于满足现代电力系统和市场不断增长的需求。其先进的技术可为在各种应用中实现高系统效率提供强大的解决方案。

开关损耗超低

即使关断栅极电压为 0V，也能稳健抵抗寄生导通

驱动电压灵活，兼容双极驱动方案

体二极管在硬换向事件下运行稳健

.XT 互连技术，可实现卓越的热性能

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=43 A, 4针, PG-LHSOF-4, IMT系列

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