Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 83 A, PG-TO-247, 通孔安装, 3引脚, IMW65R020M2HXKSA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 349-063
- 制造商零件编号:
- IMW65R020M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IMW65R020M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 83A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-TO-247 | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 24mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 273W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 57nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 83A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-TO-247 | ||
系列 CoolSiC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 24mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 273W | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 57nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolSiC MOSFET 650V G2 采用 Infineon 强大的第 2 代碳化硅沟槽技术，可提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。这款 MOSFET 旨在实现具有成本效益、高效率且简化的设计，可满足现代电力系统和市场不断增长的需求。它是在各种应用中实现高系统效率的理想解决方案，能够提供可靠的性能和卓越的功能。
开关损耗超低
即使关断栅极电压为 0V，也能稳健抵抗寄生导通
驱动电压灵活，兼容双极驱动方案
体二极管在硬换向事件下运行稳健
.XT 互连技术，可实现卓越的热性能