Infineon D 型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=1200 V, 750 A, 8引脚, IFF750B12ME7B11BPSA1, EconoDUAL 3系列
- RS 库存编号:
- 349-067
- 制造商零件编号:
- IFF750B12ME7B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB3,433.51 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-067
- 制造商零件编号:
- IFF750B12ME7B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | D 型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 750A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | EconoDUAL 3 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 正向电压 Vf | 2.1V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 D 型 | ||
最大连续漏极电流 Id 750A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 EconoDUAL 3 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 消耗 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
正向电压 Vf 2.1V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
- COO (Country of Origin):
- HU
Infineon EconoDUAL 3 1200V 750A 双 TRENCHSTOP IGBT7 模块采用由发射极控制的 7 二极管、NTC、集成式分流器和 PressFIT 接触技术。
集成式 NTC 温度传感器
隔离式底板
设计紧凑稳健，带有模制端子
可焊锡压配辅助端子