Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=1200V, 144A, PG-TO263-7, 贴片安装, 7引脚, IMB系列
- RS 库存编号:
- 349-094
- 制造商零件编号:
- IMBG120R012M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 349-094
- 制造商零件编号:
- IMBG120R012M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 144A | |
| 最大漏源电压 | 1200V | |
| 系列 | IMB | |
| 封装类型 | PG-TO263-7 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 144A | ||
最大漏源电压 1200V | ||
系列 IMB | ||
封装类型 PG-TO263-7 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 SiC | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC 1200V SiC MOSFET G2 是一款高性能碳化硅 MOSFET，旨在实现卓越的效率和极低的开关损耗。这款设备的短路耐受时间为 2μs，可针对故障情况提供强大的保护。4.2V 的基准栅极阈值电压 (VGS(th)) 可确保理想的开关性能，因此成为要求高效率和高可靠性的严苛电源应用的理想选择。
稳健的体二极管，适用于硬换向
.XT 互连技术，可实现卓越的热性能
能源效率更高
冷却优化
高功率密度
新的稳健性特征
高度可靠
.XT 互连技术，可实现卓越的热性能
能源效率更高
冷却优化
高功率密度
新的稳健性特征
高度可靠