Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=8.1 A, 7针, PG-TO263-7, IMB系列

RS 库存编号:: 349-107
制造商零件编号:: IMBG120R234M2HXTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=8.1 A, 7针, PG-TO263-7, IMB系列

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RS 库存编号:: 349-107
制造商零件编号:: IMBG120R234M2HXTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	8.1A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	包装类型	PG-TO263-7
	系列	IMB
	安装类型	表面
	引脚数目	7
	最大漏源电阻 Rd	622mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	80W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	7.9nC
	最大栅源电压 Vgs	25V
	最高工作温度	200°C
	标准/认证	JEDEC47/20/22, RoHS
	宽度	10.2mm
	高度	4.5mm
	长度	15mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 8.1A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	包装类型 PG-TO263-7
	系列 IMB
	安装类型表面
	引脚数目 7
	最大漏源电阻 Rd 622mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 80W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.9nC
	最大栅源电压 Vgs 25V
	最高工作温度 200°C
	标准/认证 JEDEC47/20/22, RoHS
	宽度 10.2mm
	高度 4.5mm
	长度 15mm
	汽车标准否

Datasheet - IMBG120R234M2HXTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IMB 系列 MOSFET，1200V 最大漏源电压，80W 最大功耗 - IMBG120R234M2HXTMA1

该MOSFET是一款专为表面贴装功率应用设计的高压N沟道开关器件。它在宽环境温度范围内工作时可提供受控导通，以实现开关和转换功能。该组件采用七针 PG-TO263-7 封装，可集成到电源板上，适用于需要稳健栅极驱动和高阻塞电压的应用。

特性和优点：

• 1200V漏极额定值，适用于高压开关应用
• 8.1A的连续漏极电流支持中等水平的功率传输
• 80W 功耗，支持持续的热负载
• 622mΩ低导通电阻，可降低工作期间的导通损耗
• 7.9nC栅极电荷可实现相对快速的开关转换
• 25V 栅极耐压，确保与常用栅极驱动器兼容

应用

• 用于工业系统中的高压DC-DC转换器
• 适用于可再生能源变频器的功率开关
• 适用于具有高电压轨的电机驱动前端
• 可用于开关电源和稳压器
• 用于紧凑型电源模块的热管理

这款设备在运行过程中可承受哪些极端温度？

其额定工作温度范围为-55°C至200°C，在适当安装和冷却的情况下，可在极低温度以及结温或温度极高的环境中使用。

引脚配置对 PCB 设计和安装有何影响？

7引脚 PG-TO263-7 布局集中了功率和栅极连接，有助于热量高效传导至电路板，并简化了漏极与源极走线的布线，‑从而实现低阻抗电流路径。

其制造过程体现了哪些标准和环境限制？

生产符合JEDEC47/20/22操作建议，且该器件满足RoHS有害物质限制要求。

设计人员应如何考量高频电路中的开关性能？

利用 7.9nC 这一典型栅极电荷数值来估算栅极驱动能量，并选择合适的栅极驱动器及死区时间设置，以平衡开关损耗与电磁辐射控制。