Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 8.1 A, PG-TO263-7, 表面安装, 7引脚, IMBG120R234M2HXTMA1, IMB系列
- RS 库存编号:
- 349-107
- 制造商零件编号:
- IMBG120R234M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 349-107
- 制造商零件编号:
- IMBG120R234M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | IMB | |
| 包装类型 | PG-TO263-7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 622mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±25 V | |
| 最大功耗 Pd | 80W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.9nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 宽度 | 10.2 mm | |
| 长度 | 15mm | |
| 高度 | 4.5mm | |
| 标准/认证 | JEDEC47/20/22, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 8.1A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 IMB | ||
包装类型 PG-TO263-7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 622mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±25 V | ||
最大功耗 Pd 80W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.9nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 200°C | ||
宽度 10.2 mm | ||
长度 15mm | ||
高度 4.5mm | ||
标准/认证 JEDEC47/20/22, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC 1200V SiC MOSFET G2 是一款高性能碳化硅 MOSFET，旨在实现卓越的效率和极低的开关损耗。这款设备的短路耐受时间为 2μs，可针对故障情况提供强大的保护。4.2V 的基准栅极阈值电压 (VGS(th)) 可确保理想的开关性能，因此成为要求高效率和高可靠性的严苛电源应用的理想选择。
稳健的体二极管，适用于硬换向
.XT 互连技术，可实现卓越的热性能
能源效率更高
冷却优化
高功率密度
新的稳健性特征
高度可靠