Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1.7 kV, Id=5.4 A, 3针, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, CoolSiC系列

RS 库存编号:: 349-108
制造商零件编号:: IMWH170R1K0M1XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1.7 kV, Id=5.4 A, 3针, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, CoolSiC系列

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RS 库存编号:: 349-108
制造商零件编号:: IMWH170R1K0M1XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	5.4A
	最大漏源电压 Vd	1.7kV
	系列	CoolSiC
	包装类型	PG-TO-247-3-STD-NN4.8
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	880mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	5.5nC
	最大栅源电压 Vgs	15V
	最大功耗 Pd	70W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 5.4A
	最大漏源电压 Vd 1.7kV
	系列 CoolSiC
	包装类型 PG-TO-247-3-STD-NN4.8
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 880mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.5nC
	最大栅源电压 Vgs 15V
	最大功耗 Pd 70W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IMWH170R1K0M1XKSA1

COO (Country of Origin):: CN

Infineon CoolSiC系列MOSFET，1700V漏源电压，5.4A连续漏极电流 - IMWH170R1K0M1XKSA1

这款MOSFET是一款碳化硅N沟道增强型器件，专为严苛电子系统的高压功率开关应用而设计。它可在宽温度范围内工作，并通过通孔安装，为电源模块和分立板提供稳健的热接触和简便的组装。

特性和优点：

• 最大1700V漏源电压，支持高压开关
• 5.4A 连续漏极电流，支持中等功率负载
• 70W 最大功耗可承受巨大的热应力
• 880 mΩ 漏源电阻可减少导通损耗
• 5.5 nC 典型栅极电荷，可实现快速栅极转换
• 15V 栅源极限保护栅极驱动电路

应用

• 适用于高压电源转换器
• 适用于工业电机驱动前端
• 用于高压系统的电池管理
• 可用于可再生能源逆变器级
• 适用于实验室电源和测试架

安装时需要采用哪种安装方式？

它采用通孔封装，与手工焊接和波峰焊组装兼容，并为散热装置提供坚固的机械锚固。

该器件如何应对高环境温度？

该元件的指定工作温度范围为-55°C至175°C，能够在温度变化剧烈的环境中使用，并允许在设计时进行保守的降额处理以延长使用寿命。

设计人员应期待什么样的电极性和控制模式？

这是一款N沟道增强型器件，需要相对于源极施加正的栅源驱动电压才能导通。

是否有与采购相关的法规材料限制？

该元件按照 RoHS 标准制造，符合电子元件对某些危险物质的限制要求。