Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1700 V, 5.4 A, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, 通孔安装, 3引脚, IMWH170R1K0M1XKSA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 349-108
- 制造商零件编号:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-108
- 制造商零件编号:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1700V | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 包装类型 | PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 880mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 70W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 15 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5.4A | ||
最大漏源电压 Vd 1700V | ||
系列 CoolSiC | ||
包装类型 PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 880mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 70W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 15 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolSiC 1700V SiC 沟槽 MOSFET 是一款高性能碳化硅 MOSFET，设计用于高效电源切换。它兼容 12V/0V 栅极源电压，适合与大多数反激式控制器搭配使用。它具有 4.5V 的基准栅极阈值电压 (VGS(th))，可确保在各种电源应用中实现可靠、高效的开关性能。这款 MOSFET 是需要高电压运行和增强能效的系统的理想选择。
开关损耗极低
dv/dt 完全可控，适用于 EMI 优化
.XT 互连技术，可实现卓越的热性能