Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1.7 kV, Id=10 A, 3针, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, CoolSiC系列

RS 库存编号:: 349-109
制造商零件编号:: IMWH170R450M1XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1.7 kV, Id=10 A, 3针, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, CoolSiC系列

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RS 库存编号:: 349-109
制造商零件编号:: IMWH170R450M1XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	10A
	最大漏源电压 Vd	1.7kV
	包装类型	PG-TO-247-3-STD-NN4.8
	系列	CoolSiC
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	390mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	11.7nC
	最大功耗 Pd	111W
	最大栅源电压 Vgs	15V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 10A
	最大漏源电压 Vd 1.7kV
	包装类型 PG-TO-247-3-STD-NN4.8
	系列 CoolSiC
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 390mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.7nC
	最大功耗 Pd 111W
	最大栅源电压 Vgs 15V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IMWH170R450M1XKSA1

COO (Country of Origin):: CN

Infineon CoolSiC系列MOSFET，1700V漏源电压，10A连续漏极电流 - IMWH170R450M1XKSA1

该MOSFET是一款碳化硅‑功率晶体管，专为严苛电子系统的高‑压开关应用而设计。它作为N‑沟道增强型器件工作，采用通孔‑PG‑-TO‑-247-3‑引脚封装，便于功率级安装和散热管理。该器件适用于需要宽温度耐受范围及符合 RoHS 标准构造的环境。

特性和优点：

• 1700V 漏源‑额定值可实现高压‑开关能力
• 10A 连续漏极电流支持持续功率流
• 111W最大功耗提升了应用中的散热处理能力
• 390 mΩ Rds(on) 可减少负载下的导通损耗
• 11.7 nC 典型栅极电荷，确保可预测的开关能量
• ±15V 栅‑源耐压，简化了驱动电压设计

应用

• 适用于电源的高压转换器拓扑结构
• 适用于工业设备的开关‑模式电源系统
• 用于需要高击穿电压的电源变频器
• 可用于电机驱动电子设备的硬‑开关级应用
• 适用于优选通‑孔安装的实验室原型制作

它在运行时能够耐受的温度范围是多少？

它的工作温度范围宽达-55°C至175°C，能够适应严苛的热环境。

它使用多少针脚？采用哪种安装方式？

该元件具有三个引脚和一个通孔‑安装座，采用PG‑ TO‑ 247 3‑引脚封装，通过通孔安装方式固定在 PCB 上。

该器件适用哪些合规要求或审批？

它符合RoHS对受限物质的要求。

在设计过程中应遵守哪些栅极电压限制？

栅源电压不得超过 ±15V（幅值 15V）以避免器件受损。