Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=2 kV, Id=48 A, 4针, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC系列

RS 库存编号:: 349-111
制造商零件编号:: IMYH200R050M1HXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=2 kV, Id=48 A, 4针, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC系列

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RS 库存编号:: 349-111
制造商零件编号:: IMYH200R050M1HXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	48A
	最大漏源电压 Vd	2kV
	包装类型	PG-TO-247-4-PLUS-NT14
	系列	CoolSiC
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	70mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	348W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	82nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 48A
	最大漏源电压 Vd 2kV
	包装类型 PG-TO-247-4-PLUS-NT14
	系列 CoolSiC
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 70mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 348W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 82nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IMYH200R050M1HXKSA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon CoolSiC系列MOSFET，2000V最大漏源电压，48A最大连续漏极电流 - IMYH200R050M1HXKSA1

这款MOSFET是一款碳化硅功率晶体管，专为严苛电气系统中的高压开关应用而设计。它作为N沟道增强型器件工作，适用于通孔电路板安装，并适用于需要耐高温和持续大电流处理能力的应用。

特性和优点：

• 2000V漏极电压实现高压开关能力
• 48A连续漏极电流支持重载运行
• 70mΩ 的 Rds(on) 可在开关过程中最大限度地减少导通损耗
• 82nC 典型栅极电荷支持可预测的栅极驱动设计
• 348W最大功耗可管理显著的热负载
• 通孔式 PG-TO-247-4-PLUS-NT14 封装简化了散热设计

应用

• 适用于高压电源转换器和反相器
• 适用于工业电机驱动功率级
• 可用于高压电容器充电电路
• 可用于公用设备的DC-DC转换
• 适用于实验室电力电子评估板

为确保安全运行，我必须遵守哪些栅极驱动限制？

栅源电压不得超过20V

设计栅极驱动器时需保持在此阈值范围内，包括瞬态抑制。

它在高温条件下的表现如何？

它的额定结温高达175°C

热管理应考虑指定的最大功耗，以防止热失控。

热控制需要考虑哪些安装注意事项？

四针PG-TO-247-4-PLUS-NT14通孔封装可实现稳固的机械固定，并直接与电子散热器连接，从而实现高效散热。

环境工作范围是否有限制？

该器件规定的最低工作温度为-55°C，因此设计必须针对冷启动场景满足该下限要求。