Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=2000 V, 34 A, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, 通孔安装, 4引脚, IMYH200R075M1HXKSA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 349-113
- 制造商零件编号:
- IMYH200R075M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IMYH200R075M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 34A | |
| 最大漏源电压 Vd | 2000V | |
| 包装类型 | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 106mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 64nC | |
| 最大功耗 Pd | 267W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 34A | ||
最大漏源电压 Vd 2000V | ||
包装类型 PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
系列 CoolSiC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 106mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 64nC | ||
最大功耗 Pd 267W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC 2000V SiC 沟槽 MOSFET 是一款高性能碳化硅 MOSFET，采用 .XT 互连技术，可增强热性能和电气性能。它具有 4.5V 的基准栅极阈值电压 (VGS(th))，可提供可靠、高效的开关，适用于高电压电源应用。这款 MOSFET 具有出色的性能，即使在严苛环境中也能确保卓越效率和稳健运行。
开关损耗极低
稳健的体二极管，适用于硬换向
符合 RoHS 标准
无卤素