Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=2 kV, Id=34 A, 4针, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC系列

RS 库存编号:: 349-113
制造商零件编号:: IMYH200R075M1HXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=2 kV, Id=34 A, 4针, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC系列

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RS 库存编号:: 349-113
制造商零件编号:: IMYH200R075M1HXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	34A
	最大漏源电压 Vd	2kV
	系列	CoolSiC
	包装类型	PG-TO-247-4-PLUS-NT14
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	106mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	64nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	267W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 34A
	最大漏源电压 Vd 2kV
	系列 CoolSiC
	包装类型 PG-TO-247-4-PLUS-NT14
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 106mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 64nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 267W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IMYH200R075M1HXKSA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon CoolSiC系列MOSFET，最大连续漏极电流34A，最大漏源电压2000V - IMYH200R075M1HXKSA1

这款MOSFET是一款碳化硅功率晶体管，专为严苛工业和电源转换环境中的高压开关应用而设计。它能在宽温度范围内运行，并采用多引线通孔封装，适用于稳健组装和热管理。该设备专为需要大量连续电流处理和高功耗的应用而设计。

特性和优点：

• 2000V漏极能力，支持超高压开关
• 34A 连续漏极电流，可实现持久供电
• 267W最大功耗，助力散热设计余量
• 106mΩ导通电阻，可降低大电流路径中的导通损耗
• 典型栅极电荷为64nC，可实现可预测的开关能量
• 通孔 PG-TO-247-4-PLUS-NT14 简化了散热集成

应用

• 适用于高压转换器和反相器
• 适用于工业电机驱动功率级
• 用于高功率开关模式电源
• 可用于可再生能源电力电子设备
• 适用于牵引和重型电源模块

驱动该器件时，设计人员必须遵守哪些栅极电压限制？

栅源极额定电压为 ±20V，因此，栅极驱动电路应将电压波动限制在此范围内，以防止栅极氧化层承受过大应力。

该器件如何应对恶劣的热环境？

其规定工作温度范围为 -55°C 至 175°C，使设计能够承受大范围的环境温度和结温波动。

它采用什么类型的引脚配置和安装方式？

该元件采用四引脚PG-TO-247-4-PLUS-NT14通孔封装，可实现稳固的PCB安装并直接连接至电子散热器。

使用时是否存在材料或环境限制？

它符合 RoHS 标准，因此符合电子组件无铅材料要求。