Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=2 kV, Id=26 A, 4针, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC系列

RS 库存编号:: 349-114
制造商零件编号:: IMYH200R100M1HXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=2 kV, Id=26 A, 4针, PG-TO-247-4-PLUS-NT14, CoolSiC系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 件）*

RMB219.12

(不含税)

RMB247.61

51 件将从其他地点发货
另外 240 件在 2026年11月05日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
1 - 9	RMB219.12
10 - 99	RMB197.19
100 +	RMB181.88

* 参考价格

RS 库存编号:: 349-114
制造商零件编号:: IMYH200R100M1HXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	26A
	最大漏源电压 Vd	2kV
	包装类型	PG-TO-247-4-PLUS-NT14
	系列	CoolSiC
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	142mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	217W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	55nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 26A
	最大漏源电压 Vd 2kV
	包装类型 PG-TO-247-4-PLUS-NT14
	系列 CoolSiC
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 142mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 217W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 55nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IMYH200R100M1HXKSA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon CoolSiC系列MOSFET，2000V漏源电压，26A连续漏极电流 - IMYH200R100M1HXKSA1

这款MOSFET是一款碳化硅N沟道增强型器件，专为严苛电子系统的高压开关应用而设计。它提供一种稳健的解决方案，用于在通孔安装过程中转换或控制大电压和电流，并在扩展的环境温度范围内工作，适用于恶劣环境。

特性和优点：

• 2000V 漏源耐压简化了高压设计
• 26A持续漏极电流支持持续功率输出
• 217W的最大功耗有助于热裕量规划
• 142 mΩ 的 Rds(on) 可降低负载下的导通损耗
• 55nC典型栅极电荷可实现可控的驱动能量
• 通孔PG-TO-247-4-PLUS-NT14封装，便于安装与散热

应用

• 适用于高压电源转换器和反相器
• 适用于工业电机驱动功率级
• 与储能和并网接口电路配合使用
• 可用于高压测试和测量设备
• 适用于牵引和重型电力电子模块

设计人员在进行开关操作时，应预期怎样的电压和极性额定值？

该器件的额定耐压（漏极与源极之间）为 2000V，采用 N 沟道晶体管配置，因此设计时必须考虑高压电气间隙以及合适的栅极驱动参考电平。

栅极驱动能量对于栅极驱动器的选择有何影响？

由于典型的栅极电荷为55nC，应选择栅极驱动器以提供足够的峰值电流，从而实现所需的开关速度，同时控制dv/dt以限制电磁应力。

可靠运行需要考虑哪些热因素？

该元件在规定条件下功耗高达217W，因此必须设计包括散热片和PCB热传导在内的热管理措施，以使结温保持在限定范围内。

该封装支持哪种安装方式？其影响是什么？

PG-TO-247-4-PLUS-NT14 通孔封装形式有助于确保机械稳定性并支持散热器直接安装，从而简化了高功率应用中的组装流程。