Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=2000V, 26A, PG-TO247-4, 通孔安装, 4引脚, IMY系列
- RS 库存编号:
- 349-114
- 制造商零件编号:
- IMYH200R100M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 349-114
- 制造商零件编号:
- IMYH200R100M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 26A | |
| 最大漏源电压 | 2000V | |
| 封装类型 | PG-TO247-4 | |
| 系列 | IMY | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 26A | ||
最大漏源电压 2000V | ||
封装类型 PG-TO247-4 | ||
系列 IMY | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 SiC | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC 2000V SiC 沟槽 MOSFET 是一款高性能碳化硅 MOSFET，采用 .XT 互连技术，可增强热性能和电气性能。它具有 4.5V 的基准栅极阈值电压 (VGS(th))，可提供可靠、高效的开关，适用于高电压电源应用。这款 MOSFET 具有出色的性能，即使在严苛环境中也能确保卓越效率和稳健运行。
开关损耗极低
稳健的体二极管，适用于硬换向
符合 RoHS 标准
无卤素
稳健的体二极管，适用于硬换向
符合 RoHS 标准
无卤素