Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 70 A, PG-TO-247-4-U02, 通孔安装, 4引脚, IMZA120R030M1HXKSA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 349-115
- 制造商零件编号:
- IMZA120R030M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IMZA120R030M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 70A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 包装类型 | PG-TO-247-4-U02 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 56mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 18 V | |
| 最大功耗 Pd | 273W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 68nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 70A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 CoolSiC | ||
包装类型 PG-TO-247-4-U02 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 56mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 18 V | ||
最大功耗 Pd 273W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 68nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
采用 TO-247-4 封装的 Infineon CoolSiC SiC MOSFET 基于先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，兼具性能与可靠性。与 IGBT 和 MOSFET 等传统硅 (Si) 基开关相比，SiC MOSFET 具有一系列优势。其中包括 1200V 开关中最低的栅极电荷和设备电容水平、内部防换向体二极管无反向恢复损耗、不受温度影响的低开关损耗以及无阈值导通特性。
出色的开关损耗和传导损耗
宽栅源电压范围
坚固耐用且低损耗的体二极管，适用于硬换向
关断开关损耗不受温度影响