制造商编号

Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=200 V, Id=39 A, 3针, PG-TO220-3, IPP系列

RS 库存编号:: 349-118
制造商零件编号:: IPP339N20NM6AKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=200 V, Id=39 A, 3针, PG-TO220-3, IPP系列

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RS 库存编号:: 349-118
制造商零件编号:: IPP339N20NM6AKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	功率晶体管
	最大连续漏极电流 Id	39A
	最大漏源电压 Vd	200V
	系列	IPP
	包装类型	PG-TO220-3
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	33.9mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	24nC
	最大功耗 Pd	125W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	JEDEC for Industrial Applications
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型功率晶体管
	最大连续漏极电流 Id 39A
	最大漏源电压 Vd 200V
	系列 IPP
	包装类型 PG-TO220-3
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 33.9mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC
	最大功耗 Pd 125W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 JEDEC for Industrial Applications
	汽车标准否

Datasheet - IPP339N20NM6AKSA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon OptiMOS 6 功率晶体管是一款 N 通道、正常电平 MOSFET，设计用于高效率电源应用。它具有极低的导通电阻 (RDS(on))，可确保降低传导损耗。这款 MOSFET 还拥有出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)，可实现卓越的开关性能和极低的反向恢复电荷 (Qrr)，可实现高效运行。它 100% 通过雪崩测试，确保坚固耐用，并可在 175°C 的高温下运行，即使在严苛环境中也能可靠运行。

针对电机驱动和电池供电应用进行了优化

符合 RoHS 标准

无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准

根据 J-STD-020，等级为 MSL 1

Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=200 V, Id=39 A, 3针, PG-TO220-3, IPP系列

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