Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 87 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT129N20NM6ATMA1, IPT系列
- RS 库存编号:
- 349-132
- 制造商零件编号:
- IPT129N20NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-132
- 制造商零件编号:
- IPT129N20NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 87A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 系列 | IPT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 12.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 234W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 37nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 87A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
系列 IPT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 12.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 234W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6 功率晶体管，200V 是一款 N 通道、正常电平 MOSFET，设计用于高效率电源应用。它具有极低的导通电阻 (RDS(on))，可将传导损耗降至最低。出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM) 可确保卓越的开关性能，同时极低的反向恢复电荷 (Qrr) 有助于实现高效运行。凭借高雪崩能量等级，它可提供更强的稳健性，能够在 175°C 的温度下运行，即使在恶劣环境中也能可靠运行。
无铅镀铅
符合 RoHS 标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
根据 J-STD-020，等级为 MSL 1