Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 164 A, PG-TDSON-8, 表面安装, 8引脚, ISC035N10NM5LF2ATMA1, ISC系列
- RS 库存编号:
- 349-141
- 制造商零件编号:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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| 200 - 998 | RMB29.185 | RMB58.37 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-141
- 制造商零件编号:
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 164A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | ISC | |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 217W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 164A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 ISC | ||
包装类型 PG-TDSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 217W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 5 线性 FET 2，100V 是一款 N 通道、正常电平 MOSFET，专门设计用于热插拔、电池保护和电子保险丝应用。它具有极低的导通电阻 (RDS(on))，有助于将传导损耗降至最低，从而提高效率。MOSFET 还提供宽安全工作区 (SOA)，可确保在各种工作条件下性能可靠。凭借这些特性，它成为需要强大、高效和可靠电源管理的应用的理想选择。
100% 通过雪崩测试
无铅电镀，符合 RoHS 标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准