Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 164 A, PG-TDSON-8, 表面安装, 8引脚, ISC035N10NM5LF2ATMA1, ISC系列

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RS 库存编号:
349-141
制造商零件编号:
ISC035N10NM5LF2ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

164A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

ISC

包装类型

PG-TDSON-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

3.5mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

217W

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC

COO (Country of Origin):
CN
Infineon OptiMOS 5 线性 FET 2，100V 是一款 N 通道、正常电平 MOSFET，专门设计用于热插拔、电池保护和电子保险丝应用。它具有极低的导通电阻 (RDS(on))，有助于将传导损耗降至最低，从而提高效率。MOSFET 还提供宽安全工作区 (SOA)，可确保在各种工作条件下性能可靠。凭借这些特性，它成为需要强大、高效和可靠电源管理的应用的理想选择。

100% 通过雪崩测试

无铅电镀，符合 RoHS 标准

无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准

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