Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=164 A, 8针, PG-TDSON-8, ISC系列

RS 库存编号:: 349-141
制造商零件编号:: ISC035N10NM5LF2ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=164 A, 8针, PG-TDSON-8, ISC系列

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RS 库存编号:: 349-141
制造商零件编号:: ISC035N10NM5LF2ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	164A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	ISC
	包装类型	PG-TDSON-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	3.5mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	217W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 164A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 ISC
	包装类型 PG-TDSON-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 3.5mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 217W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC

Datasheet - ISC035N10NM5LF2ATMA1

COO (Country of Origin):: CN

Infineon ISC系列MOSFET，最大漏源电压100V，最大连续漏极电流164A - ISC035N10NM5LF2ATMA1

该MOSFET是一款专为表面贴装功率应用设计的大电流开关晶体管。它作为N沟道增强型器件运行，适用于在紧凑型电子组件中管理大漏极电流。该元件设计用于在宽温度范围内运行，并支持需要低传导损耗和强大功率处理能力的板载配置。

特性和优点：

• 极低的导通电阻（3.5 mΩ）可降低大电流下的导通损耗
• 164A 高连续漏极电流，支持严苛的负载条件
• 100V额定电压，可用于中压功率级
• 217W功耗，能够在受限空间内持续承受热负荷
• 栅极容差±20V，可兼容常见驱动方案并留有裕量
• 正向电压1.2V可最大限度降低开关导通压降

应用

• 适用于在恶劣温度条件下工作的汽车功率转换器
• 适用于需要高持续电流的牵引电机变频器
• 用于需要低导通损耗开关的dc-dc转换器
• 适用于要求紧凑型表面贴装的服务器功率级
• 适用于高功率装置的电池管理系统

该元件在PCB上需要哪种安装方式？

它采用 PG-TDSON-8 封装，需要与该散热焊盘及八引脚布局兼容的表面贴装焊盘布局。

该设备在极端环境温度条件下表现如何？

允许的工作温度范围为 -55 °C 至 175 °C，可在零度以下及高温环境中运行，且不会因超出常规热设计规范而降低性能。

关于栅极驱动，设计人员应预期什么样的开关行为？

栅极电压必须限制在最高20V

典型驱动方案采用低于该阈值的栅极电压，以确保可靠的增强型开关动作。

是否有针对材料和制造符合性的标准？

该器件符合与材料和封装定义相关的RoHS、IEC 61249-2-21及JEDEC规范。