Infineon N型沟道 增强型 N 通道 Mosfet, Vds=120 V, 85 A, PG-TDSON-8, 表面安装, 8引脚, ISC078N12NM6ATMA1, ISC系列
- RS 库存编号:
- 349-145
- 制造商零件编号:
- ISC078N12NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB18.796 | RMB93.98 |
| 50 - 95 | RMB17.862 | RMB89.31 |
| 100 - 495 | RMB16.538 | RMB82.69 |
| 500 - 995 | RMB15.216 | RMB76.08 |
| 1000 + | RMB14.652 | RMB73.26 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-145
- 制造商零件编号:
- ISC078N12NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | N 通道 Mosfet | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 85A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 系列 | ISC | |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 21nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 N 通道 Mosfet | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 85A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
系列 ISC | ||
包装类型 PG-TDSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 21nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 6 功率晶体管是一款 N 通道、正常电平 MOSFET，设计用于高效率电源应用。它具有极低的导通电阻 (RDS(on))，可降低传导损耗并提高能效。这款晶体管可提供出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)，从而增强开关性能。它拥有极低的反向恢复电荷 (Qrr)，可将开关损耗降至最低，因此适用于快速开关应用。它还具有高雪崩能量等级，可确保瞬态条件下的稳健性。此外，MOSFET 的工作温度为 175°C，可为严苛应用提供高耐热性。
针对高频开关和同步整流进行了优化
无铅电镀，符合 RoHS 标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
根据 J-STD-020，等级为 MSL 1