Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=120V, 62A, PG-TDSON-8, 贴片安装, 8引脚, ISC系列
- RS 库存编号:
- 349-146
- 制造商零件编号:
- ISC110N12NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-146
- 制造商零件编号:
- ISC110N12NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 62A | |
| 最大漏源电压 | 120V | |
| 封装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 系列 | ISC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 62A | ||
最大漏源电压 120V | ||
封装类型 PG-TDSON-8 | ||
系列 ISC | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS 6 功率晶体管是一款 N 通道、正常电平 MOSFET，设计用于高效率电源应用。它具有极低的导通电阻 (RDS(on))，可降低传导损耗并提高能效。这款晶体管可提供出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)，从而增强开关性能。它拥有极低的反向恢复电荷 (Qrr)，可将开关损耗降至最低，因此适用于快速开关应用。它还具有高雪崩能量等级，可确保瞬态条件下的稳健性。此外，MOSFET 的工作温度为 175°C，可为严苛应用提供高耐热性。
针对高频开关和同步整流进行了优化
无铅电镀，符合 RoHS 标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
根据 J-STD-020，等级为 MSL 1
无铅电镀，符合 RoHS 标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
根据 J-STD-020，等级为 MSL 1