Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=88 A, 8针, PG-TSON-8, ISC系列

RS 库存编号:: 349-148
制造商零件编号:: ISC130N20NM6ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=88 A, 8针, PG-TSON-8, ISC系列

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RS 库存编号:: 349-148
制造商零件编号:: ISC130N20NM6ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	88A
	最大漏源电压 Vd	200V
	系列	ISC
	包装类型	PG-TSON-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	13mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	242W
	正向电压 Vf	1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	39nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 88A
	最大漏源电压 Vd 200V
	系列 ISC
	包装类型 PG-TSON-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 13mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 242W
	正向电压 Vf 1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 39nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	汽车标准否

Datasheet - ISC130N20NM6ATMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon ISC系列MOSFET，200V漏源电压，88A连续漏极电流 - ISC130N20NM6ATMA1

该MOSFET是一款专为表面贴装电源应用设计的大电流N沟道开关。它可在宽温度范围内工作，适用于严苛环境，旨在用于需要稳健的电压处理和高效传导的场合。该器件采用紧凑型 PG-TSON-8 封装，适用于板级安装，并符合行业制造标准。

特性和优点：

• 200V最大漏极电压支持高压开关
• 88A连续漏极电流支持大负载电流
• 13mΩ的低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗
• 242W功耗可处理大量热负载
• 39 nC 典型栅极电荷可实现可控的开关能量
• ±20V栅极容差保护栅极免受过驱动

应用

• 适用于工业系统中的高功率DC-DC转换器
• 适用于需要高电流的电机驱动功率级应用
• 与储能硬件的电池管理系统配合使用
• 可用于电源的同步整流
• 适用于电力电子领域的高速开关反相器电路

电路板组装需要哪种安装方式？

它适用于采用PG-TSON-8封装的表面贴装组装。

它在极端温度条件下的表现如何？

其指定工作温度范围为 -55 °C 至 175 °C，可在恶劣条件下提供热裕量。

哪些标准规定了其材料和处理方式？

制造和处理均符合JEDEC和J-STD-020规定以及RoHS限制。

设计人员应遵守哪些栅极驱动限制？

栅极驱动电压必须控制在±20V以内，以避免超出栅源极限。