Infineon N型沟道 增强型 功率晶体管, Vds=200 V, 74 A, PG-TDSON-8 FL, 表面安装, 8引脚, ISC151N20NM6ATMA1, ISC系列
- RS 库存编号:
- 349-149
- 制造商零件编号:
- ISC151N20NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥87.65
(不含税)
¥99.044
(含税)
有库存
- 5,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB43.825 | RMB87.65 |
| 20 - 198 | RMB39.45 | RMB78.90 |
| 200 - 998 | RMB36.385 | RMB72.77 |
| 1000 - 1998 | RMB33.76 | RMB67.52 |
| 2000 + | RMB30.255 | RMB60.51 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-149
- 制造商零件编号:
- ISC151N20NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 74A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 FL | |
| 系列 | ISC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 15.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 200W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 31nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 74A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 PG-TDSON-8 FL | ||
系列 ISC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 15.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 200W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6 功率晶体管是一款 N 通道、正常电平 MOSFET，设计用于高性能电源应用。它具有极低的导通电阻 (RDS(on))，有助于将传导损耗降至最低并提高系统效率。这款晶体管具有出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)，可确保优化的开关性能。它还具有极低的反向恢复电荷 (Qrr)，可降低开关损耗并提高快速开关电路的整体效率。它的设计工作温度为 175°C，可在严苛环境中提供高可靠性，并可提供卓越的热性能以实现稳健运行。
无铅电镀，符合 RoHS 标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
根据 J-STD-020，等级为 MSL 1
100% 通过雪崩测试