Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=200 V, Id=74 A, 8针, PG-TDSON-8 FL, ISC系列

RS 库存编号:: 349-149
制造商零件编号:: ISC151N20NM6ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=200 V, Id=74 A, 8针, PG-TDSON-8 FL, ISC系列

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RS 库存编号:: 349-149
制造商零件编号:: ISC151N20NM6ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	功率晶体管
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	74A
	最大漏源电压 Vd	200V
	包装类型	PG-TDSON-8 FL
	系列	ISC
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	15.1mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	200W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	31nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型功率晶体管
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 74A
	最大漏源电压 Vd 200V
	包装类型 PG-TDSON-8 FL
	系列 ISC
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 15.1mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 200W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 31nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS
	汽车标准否

Datasheet - ISC151N20NM6ATMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon ISC系列功率晶体管，最大功耗200W，最大漏源电压200V - ISC151N20NM6ATMA1

该功率晶体管是一款大电流N沟道增强型MOSFET，专为需要稳健开关性能和散热性能的表贴应用而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于高要求电子系统中的电源转换和控制任务，具有低正向电压和紧凑的PG-TDSON-8 FL封装，适合空间受限的组装。

特性和优点：

• 200V额定值可实现高压开关能力
• 74A 连续电流，适用于重负载处理
• 15.1mΩ的导通电阻（Rds(on)）可降低大电流下的导通损耗
• 200W功耗支持高热负载
• 31nC 栅极电荷，用于快速驱动开关控制
• -55°C至175°C范围适用于极端温度操作

应用

• 适用于同步降压转换器功率级
• 适用于电机驱动变频器的桥臂开关应用
• 与高电流配电模块配合使用
• 可用于服务器电源晶体管
• 适用于工业开关稳压器设计

组装时需要什么安装方法？

它以表面贴装 PG-TDSON-8 FL 封装形式提供，适用于通过回流焊方式焊接至 PCB 焊盘。

该器件在开关环境中能承受多大的电压应力？

该器件规定在运行期间可承受的最大漏源电压为200V。

栅极驱动需求如何影响控制器选择？

最大栅源容差为 20V，Vgs 时的典型栅极电荷为 31nC，这决定了驱动电流和定时需求。

对于高功率使用，建议考虑哪些热因素？

最大功耗为200W，必须采取充分的PCB散热缓解和热量扩散措施来管理结温。