Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=100 V, Id=139 A, 10针, PG-WHITFN-10-1, ISG系列

RS 库存编号:: 349-152
制造商零件编号:: ISG0616N10NM5HSCATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=100 V, Id=139 A, 10针, PG-WHITFN-10-1, ISG系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 包，共 2 件）*

RMB115.96

(不含税)

RMB131.04

3,000 件在 2027年1月14日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位	每包*
2 - 18	RMB57.98	RMB115.96
20 - 198	RMB52.17	RMB104.34
200 - 998	RMB48.125	RMB96.25
1000 - 1998	RMB44.66	RMB89.32
2000 +	RMB40.025	RMB80.05

* 参考价格

RS 库存编号:: 349-152
制造商零件编号:: ISG0616N10NM5HSCATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	功率晶体管
	最大连续漏极电流 Id	139A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	ISG
	包装类型	PG-WHITFN-10-1
	安装类型	表面
	引脚数目	10
	最大漏源电阻 Rd	4mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	52nC
	最大功耗 Pd	167W
	正向电压 Vf	1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	IEC61249-2-21, RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型功率晶体管
	最大连续漏极电流 Id 139A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 ISG
	包装类型 PG-WHITFN-10-1
	安装类型表面
	引脚数目 10
	最大漏源电阻 Rd 4mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 52nC
	最大功耗 Pd 167W
	正向电压 Vf 1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 IEC61249-2-21, RoHS
	汽车标准否

Datasheet - ISG0616N10NM5HSCATMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon ISG系列功率晶体管，100V漏源电压，139A连续漏极电流 - ISG0616N10NM5HSCATMA1

这款功率晶体管是一款高电流N沟道增强型MOSFET，专为需要高效开关和热耐久性的表面贴装应用而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于电源转换和大电流开关场景，在降低导通损耗与提升散热能力之间实现了良好平衡。

特性和优点：

• 100V漏极额定值可实现高压开关能力
• 4mΩ的Rds(on)可降低重负载下的导通损耗
• 139A连续电流支持大电流设计
• 167W功耗有助于持续热负载
• 52nC 栅极电荷可实现可预测的开关性能
• 表面贴装 PG-WHITFN-10-1 封装简化了自动化组装

应用

• 适用于电源的大电流DC-DC转换器
• 适用于电源管理领域的同步整流
• 用于需要高持续电流的电机驱动级
• 可用于服务器和电源分配器
• 适用于存在高温环境的工业开关应用

为实现高效开关，需要考虑哪些栅极驱动因素？

在规定的栅极电压下，典型栅电荷为52nC，这要求驱动器能够提供和灌入足够的峰值电流，以实现所需的上升和下降时间，同时管理开关损耗。

该设备如何在紧凑布局中处理热应力？

最大功耗为167W时，热布局应在封装下方包含足够的铜面积和散热过孔，以扩散热量并将结温维持在限制范围内。

为避免设备损坏，必须遵守哪些电压限制？

最大漏源电压为100V，栅源电压不得超过20V，以防止雪崩或栅氧化层应力。

该器件在极端环境条件下部署时的可靠性如何？

它的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，可在温度剧烈变化的环境中使用。