Infineon N型沟道 增强型 功率晶体管, Vds=100 V, 139 A, PG-WHITFN-10-1, 表面安装, 10引脚, ISG0616N10NM5HSCATMA1, ISG系列
- RS 库存编号:
- 349-152
- 制造商零件编号:
- ISG0616N10NM5HSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥86.39
(不含税)
¥97.62
(含税)
有库存
- 3,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB43.195 | RMB86.39 |
| 20 - 198 | RMB38.865 | RMB77.73 |
| 200 - 998 | RMB35.85 | RMB71.70 |
| 1000 - 1998 | RMB33.27 | RMB66.54 |
| 2000 + | RMB29.82 | RMB59.64 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-152
- 制造商零件编号:
- ISG0616N10NM5HSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 139A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PG-WHITFN-10-1 | |
| 系列 | ISG | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 52nC | |
| 最大功耗 Pd | 167W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
最大连续漏极电流 Id 139A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PG-WHITFN-10-1 | ||
系列 ISG | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 10 | ||
最大漏源电阻 Rd 4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 52nC | ||
最大功耗 Pd 167W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 5 双 N 通道 100V MOSFET 位于可扩展电源块中，具有双面冷却功能。PQFN 6.3x6.0 中的双 N 沟道 MOSFET 具有 4.0mΩ 的低 RDS(on)，每个 Q1/Q2 均采用半桥配置。该封装的低寄生电感可提高开关性能和 EMI，同时降低整体 BOM 成本。双面冷却能力可通过出色的热管理将功率吞吐量额外提高 25%。
可将传导损耗降至最低
减少了电压过冲
高功率容量
卓越的热性能
最低环路电感
出色的开关性能/EMI
卓越的热管理