Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 63 A, PG-TSDSON-8, 表面安装, 8引脚, ISZ113N10NM5LF2ATMA1, ISZ系列
- RS 库存编号:
- 349-154
- 制造商零件编号:
- ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB16.266 | RMB81.33 |
| 50 - 95 | RMB15.45 | RMB77.25 |
| 100 - 495 | RMB14.32 | RMB71.60 |
| 500 - 995 | RMB13.172 | RMB65.86 |
| 1000 + | RMB12.686 | RMB63.43 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-154
- 制造商零件编号:
- ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 63A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | ISZ | |
| 包装类型 | PG-TSDSON-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 63A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 ISZ | ||
包装类型 PG-TSDSON-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 11.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC61249‑2‑21, JEDEC, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 线性 FET 是一种革命性的方法，可以解决导通电阻和线性模式功能之间的权衡。与低成本、小尺寸 PQFN 3.3x3.3 封装相结合，它适用于以太网供电 (PoE) 应用中的软启动和限流目的。
宽安全工作区
低导通电阻 RDS(on)
高最大脉冲电流
高最大持续电流
采用小型扁平封装