Infineon N型沟道 增强型 功率晶体管, Vds=135 V, 54 A, PG-TSDSON-8FL, 表面安装, 8引脚, ISZ143N13NM6ATMA1, ISZ系列
- RS 库存编号:
- 349-155
- 制造商零件编号:
- ISZ143N13NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB20.332 | RMB101.66 |
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| 100 + | RMB17.90 | RMB89.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-155
- 制造商零件编号:
- ISZ143N13NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 54A | |
| 最大漏源电压 Vd | 135V | |
| 包装类型 | PG-TSDSON-8FL | |
| 系列 | ISZ | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 14.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 95W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 21nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 54A | ||
最大漏源电压 Vd 135V | ||
包装类型 PG-TSDSON-8FL | ||
系列 ISZ | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 14.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 95W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 21nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
采用 PQFN 3.3x3.3 封装的 Infineon OptiMOS 6 功率 MOSFET 135V 正常电平。OptiMOS 6 135V 适用于高功率电机驱动应用，例如 LEV、电动叉车、电动和园艺工具，以及主要使用 72 至 84V 电池的 UPS 应用。该产品可有效弥补 120V 和 150V MOSFET 之间的差距，并显着改善 RDS(on) 和成本，有助于提高系统效率。
可降低系统成本
可减少并联需求
可减少 VDS 过冲和开关损耗
更高功率密度设计