Infineon N型沟道 增强型 功率晶体管, Vds=200 V, 26 A, PG-TSDSON-8FL, 表面安装, 8引脚, ISZ520N20NM6ATMA1, ISZ系列
- RS 库存编号:
- 349-157
- 制造商零件编号:
- ISZ520N20NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 包，共 5 件）*
¥64.24
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB12.848 | RMB64.24 |
| 50 - 95 | RMB12.202 | RMB61.01 |
| 100 - 495 | RMB11.302 | RMB56.51 |
| 500 - 995 | RMB10.404 | RMB52.02 |
| 1000 + | RMB10.014 | RMB50.07 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-157
- 制造商零件编号:
- ISZ520N20NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 26A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | PG-TSDSON-8FL | |
| 系列 | ISZ | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 52mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 88W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 9.9nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
最大连续漏极电流 Id 26A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 PG-TSDSON-8FL | ||
系列 ISZ | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 52mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 88W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9.9nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC61249‑2‑21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6 MOSFET 正在树立新的技术标准。它能够满足对高功率密度、高效率和高可靠性的需求。OptiMOS 6 200V 技术旨在实现 LEV、叉车和无人机等电机驱动应用的卓越性能。全新 OptiMOS 6 具有业界出色的 RDS(on) 以及改进的开关和均流能力，可实现高功率密度、更少的并联和出色的 EMI 性能。
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