Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 230 A, PG-LHDSO-10-1, 表面安装, 10引脚, IAUCN04S6N013TATMA1, OptiMOS-TM6系列
- RS 库存编号:
- 349-164
- 制造商零件编号:
- IAUCN04S6N013TATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB14.126 | RMB70.63 |
| 50 - 95 | RMB13.426 | RMB67.13 |
| 100 - 495 | RMB12.434 | RMB62.17 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-164
- 制造商零件编号:
- IAUCN04S6N013TATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 230A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | OptiMOS-TM6 | |
| 包装类型 | PG-LHDSO-10-1 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.68mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 133W | |
| 正向电压 Vf | 0.8V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 52nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101, RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 230A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 OptiMOS-TM6 | ||
包装类型 PG-LHDSO-10-1 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 10 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.68mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 133W | ||
正向电压 Vf 0.8V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 52nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101, RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon 汽车 MOSFET 是专为汽车应用设计的 OptiMOS 功率 MOSFET。它是一种具有正常电平特性的 N 通道增强模式设备。该 MOSFET 通过了超越 AEC-Q101 标准的扩展认证，并具有增强的电气测试功能，可确保性能可靠。它设计稳健，适用于严苛的汽车环境，并可提供耐用性和高效的电源管理。
MSL1 最高回流温度可达 260°C
工作温度：175°C
符合 RoHS 标准
潜在应用