Infineon , 1 N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, PG-TO263-7, 表面安装, 7引脚, AIK系列, AIKBE50N65RF5ATMA1
- RS 库存编号:
- 349-189
- 制造商零件编号:
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-189
- 制造商零件编号:
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | AIK | |
| 包装类型 | PG-TO263-7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 108nC | |
| 最大功耗 Pd | 326W | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 AIK | ||
包装类型 PG-TO263-7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 108nC | ||
最大功耗 Pd 326W | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolSiC 混合离散器配有 TRENCHSTOP 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管 G5，专为汽车而设计。它在硬开关和谐振拓扑方面具有杰出的效率。
650V 击穿电压
CoolSiCTM 肖特基二极管 G5
低栅极电荷 QG
开尔文发射极连接可优化开关性能