Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 113 A, PG-HDSOP-22, 表面安装, 22引脚, IPDQ60T017S7AXTMA1, IPD系列

可享批量折扣

小计(1 件)*

¥149.72

(不含税)

¥169.18

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 750 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
1 - 9RMB149.72
10 - 99RMB134.74
100 +RMB124.23

* 参考价格

RS 库存编号:
349-196
制造商零件编号:
IPDQ60T017S7AXTMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

113A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

PG-HDSOP-22

系列

IPD

安装类型

表面

引脚数目

22

最大漏源电阻 Rd

0.017Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

500W

正向电压 Vf

0.82V

最大栅源电压 Vgs

30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

196nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

AEC Q101, RoHS, JEDEC

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY
Infineon CoolMOS S7TA 可为低频开关应用提供卓越的性价比。嵌入式温度传感器可提高结温传感的准确性和稳健性,同时保持简单无缝的实施。CoolMOS S7TA 针对静态开关和高电流应用进行了优化。新的温度传感器增强了 S7A 功能,可最大限度利用功率晶体管。

在低频开关应用中具有优化的性价比

高脉冲电流能力

能以最低的系统成本实现无缝诊断

增强了系统性能

可将传导损耗降至最低

更高的可靠性和更长的系统寿命

抗冲击和振动

无接触电弧或弹跳