Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 65 A, 托盘, 螺钉接线端子安装, F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1, EasyPACK系列
- RS 库存编号:
- 349-248
- 制造商零件编号:
- F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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* 参考价格
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- 349-248
- 制造商零件编号:
- F3L11MR12W2M1HPB19BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 65A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | EasyPACK | |
| 包装类型 | 托盘 | |
| 安装类型 | 螺钉接线端子 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 16mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 5.35V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC 60747, IEC 60068, RoHS, IEC 60749 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 65A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 EasyPACK | ||
包装类型 托盘 | ||
安装类型 螺钉接线端子 | ||
最大漏源电阻 Rd 16mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 5.35V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC 60747, IEC 60068, RoHS, IEC 60749 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyPACK 2B CoolSiC MOSFET 3 级模块采用 NPC2 拓扑结构 1200V、11mΩ G1，配备 NTC、预涂热界面材料和 PressFIT 接触技术。这款 MOSFET 拥有出色的封装，高度紧凑，仅 12mm，专为实现电力电子设备的卓越性能而设计。它采用先进的宽带隙材料，可提高效率和可靠性。设计具有极低的模块杂散电感，可确保最大程度降低功率损耗并改善开关性能。
卓越的模块效率
系统成本优势
系统效率提升
降低冷却要求
实现更高的频率
增加功率密度