Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 45 A, EasyPACK, 螺钉接线端子安装, F417MR12W1M1HB76BPSA1, F4-17MR12W1M1H_B76系列

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349-252
制造商零件编号:
F417MR12W1M1HB76BPSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

45A

最大漏源电压 Vd

1200V

系列

F4-17MR12W1M1H_B76

包装类型

EasyPACK

安装类型

螺钉接线端子

最大漏源电阻 Rd

34.7mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

20mW

最大栅源电压 Vgs

23 V

最低工作温度

-40°C

正向电压 Vf

5.35V

最高工作温度

175°C

标准/认证

IEC 60747, IEC 60068, IEC 61140, IEC 60749

汽车标准

COO (Country of Origin):
DE
Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET 四组模块 1200V、17mΩ G1 配备 NTC 并采用 PressFIT 接触技术。这款 MOSFET 采用出色的封装设计,高度紧凑,仅 12mm,可有效利用空间。它采用先进的宽带隙材料,可提供更强的功率效率和性能。它具有极低的模块杂散电感,可最大限度减少功率损耗并改善开关动态。

卓越的模块效率

系统成本优势

系统效率提升

降低冷却要求

实现更高的频率

增加功率密度