Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 200 A, EasyDUAL, 螺钉接线端子安装, FF4MR12W2M1HPB11BPSA1, CoolSiCTM Trench MOSFET系列
- RS 库存编号:
- 349-253
- 制造商零件编号:
- FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-253
- 制造商零件编号:
- FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 200A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | EasyDUAL | |
| 系列 | CoolSiCTM Trench MOSFET | |
| 安装类型 | 螺钉接线端子 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 5.35V | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 200A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 EasyDUAL | ||
系列 CoolSiCTM Trench MOSFET | ||
安装类型 螺钉接线端子 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 5.35V | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon EasyDUAL 2B CoolSiC MOSFET 半桥模块是一款 1200V 模块，采用 4mΩ 低栅极电阻器 G1，并配有集成式 NTC 温度传感器，可实现精确的热监控。它还包含预涂热界面材料以增强散热，并采用 PressFIT 接触技术，可确保可靠、卓越的电气连接。这款模块设计用于高效电源转换和热管理至关重要的高性能应用。
采用集成式安装夹，安装牢固
PressFIT 接触技术
集成式 NTC 温度传感器
预涂热界面材料