Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 13 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT60T040S7XTMA1, IPT系列

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349-261
制造商零件编号:
IPT60T040S7XTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

13A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

PG-HSOF-8

系列

IPT

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

40mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.82V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

83nC

最大功耗 Pd

245W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS, JEDEC for Industrial Applications

汽车标准

COO (Country of Origin):
MY
Infineon CoolMOS S7 拥有 HV SJ MOSFET 最低的 Rdson 值,并且能效显著提高。嵌入式温度传感器可提高结温传感的准确性和稳健性,同时保持简单无缝的实施。CoolMOS S7 针对静态开关和高电流应用进行了优化。它非常适合固态继电器、断路器设计以及 SMPS 和反相器拓扑中的线路整流。新的温度传感器增强了 S7 功能,可最大限度利用功率晶体管。

CoolMOS S7 技术能够以最小体积实现最低的 RDS(on)

在低频开关应用中具有优化的性价比

高脉冲电流能力

最低系统的无缝诊断

温度感应功能可提供保护并优化热设备利用率