Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 8 A, PG-HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT60T065S7XTMA1, IPT系列
- RS 库存编号:
- 349-262
- 制造商零件编号:
- IPT60T065S7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB44.36 | RMB88.72 |
| 20 - 198 | RMB39.935 | RMB79.87 |
| 200 - 998 | RMB36.825 | RMB73.65 |
| 1000 - 1998 | RMB34.145 | RMB68.29 |
| 2000 + | RMB30.645 | RMB61.29 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-262
- 制造商零件编号:
- IPT60T065S7XTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | PG-HSOF-8 | |
| 系列 | IPT | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 65mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 167W | |
| 正向电压 Vf | 0.82V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 51nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | JEDEC for Industrial Applications | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 PG-HSOF-8 | ||
系列 IPT | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 65mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 167W | ||
正向电压 Vf 0.82V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 JEDEC for Industrial Applications | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon CoolMOS S7 拥有 HV SJ MOSFET 最低的 Rdson 值，并且能效显著提高。嵌入式温度传感器可提高结温传感的准确性和稳健性，同时保持简单无缝的实施。CoolMOS S7 针对静态开关和高电流应用进行了优化。它非常适合固态继电器、断路器设计以及 SMPS 和反相器拓扑中的线路整流。新的温度传感器增强了 S7 功能，可最大限度利用功率晶体管。
CoolMOS S7 技术能够以最小体积实现最低的 RDS(on)
在低频开关应用中具有优化的性价比
高脉冲电流能力
最低系统的无缝诊断
温度感应功能可提供保护并优化热设备利用率