Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=600 V, Id=123 A, 4针, PG-TO-247, IPW系列

RS 库存编号:: 349-265
制造商零件编号:: IPW60R016CM8XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=600 V, Id=123 A, 4针, PG-TO-247, IPW系列

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RS 库存编号:: 349-265
制造商零件编号:: IPW60R016CM8XKSA1
制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	功率晶体管
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	123A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	IPW
	包装类型	PG-TO-247
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	16mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	900mV
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	171nC
	最大功耗 Pd	521W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS, JEDEC
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型功率晶体管
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 123A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 IPW
	包装类型 PG-TO-247
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 16mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 900mV
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 171nC
	最大功耗 Pd 521W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS, JEDEC
	汽车标准否

Datasheet - IPW60R016CM8XKSA1

COO (Country of Origin):: CN

Infineon IPW 系列功率晶体管，600V 漏源电压，123A 连续漏极电流 - IPW60R016CM8XKSA1

这款功率晶体管是一款高压N沟道增强型MOSFET，专为严苛电气系统中的功率转换和开关任务而设计。它采用通孔PG-TO-247封装，适用于需要大电流处理和高温工作的应用。该器件符合RoHS和JEDEC标准，适用于需要较强耐热性的环境。

特性和优点：

• 600V额定值，适用于高压开关应用
• 123A 连续电流，支持重载运行
• 16mΩ的低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗
• 521W的最大耗散功率，可实现显著的功率处理能力
• 171nC 栅极电荷，有助于实现可预测的开关控制
• 工作温度范围为-55°C 至 175°C，允许在高温环境中部署

应用

• 适用于工业电机驱动功率级应用
• 适用于高压电源和转换器
• 用于需要大电流的变频器电路
• 可用于开关模式电源
• 适用于坚固耐用的通孔安装设计

应考虑哪些栅极驱动因素？

典型总栅极电荷为171 nC，因此栅极驱动能力和上升/下降时间控制对于管理开关损耗和电磁干扰非常重要。

该器件在负载条件下的散热表现如何？

它的最大散热功率可达 521W

散热片和PCB布局等热管理措施应进行相应设计，以确保在预期环境温度条件下能够处理该散热需求。

设计人员必须遵守哪些电压和电流限制？

该元件的最大漏源电压为600V，连续漏极电流额定值为123A，因此必须考虑系统裕量和瞬态条件以避免过压应力。

是否有与安装或封装相关的实施说明？

PG-TO-247 通孔封装形式需要合适的孔间距与机械支撑，并支持稳固的散热器安装，以满足高功率应用的需求。