Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 280 A, 螺钉接线端子安装, FF3MR12KM1HPHPSA1
- RS 库存编号:
- 349-316
- 制造商零件编号:
- FF3MR12KM1HPHPSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 349-316
- 制造商零件编号:
- FF3MR12KM1HPHPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 280A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 安装类型 | 螺钉接线端子 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.32mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 正向电压 Vf | 5.59V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | 60749, 60068, IEC 60747 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 280A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
安装类型 螺钉接线端子 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.32mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
正向电压 Vf 5.59V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 60749, 60068, IEC 60747 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- HU
Infineon 62mm CoolSiC MOSFET 半桥模块采用著名的 62 mm 外壳设计，集成了适用于高性能电源应用的 M1H 芯片技术。这款模块具有高电流密度，适用于需要强大性能的空间受限系统。开关损耗低，可确保高开关频率下的更高效率。卓越的栅极氧化层可靠性提高了耐用性，可延长这款模块在严苛条件下的使用寿命。
可最大限度减少冷却工作
减小了体积和尺寸
降低了系统成本
对称模块设计
标准施工技术