Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 238 A, PG-TO263-7, 表面安装, 7引脚, IMBG65R007M2HXTMA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 349-322
- 制造商零件编号:
- IMBG65R007M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥311.41
(不含税)
¥351.89
(含税)
有库存
- 1,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB311.41 |
| 10 - 99 | RMB280.28 |
| 100 + | RMB258.49 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-322
- 制造商零件编号:
- IMBG65R007M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 238A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-TO263-7 | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 179nC | |
| 最大功耗 Pd | 789W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 238A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-TO263-7 | ||
系列 CoolSiC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 179nC | ||
最大功耗 Pd 789W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon 650V CoolSiC MOSFET G2 采用 Infineon 强大的第 2 代碳化硅沟槽技术，可提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。这款 MOSFET 支持具有成本效益、高效率且简化的设计，可满足现代电力系统和市场不断增长的需求。它适用于需要高效率和强大性能的应用，可为各种电力电子设备提供可靠的解决方案。
开关损耗超低
即使关断栅极电压为 0V，也能稳健抵抗寄生导通
驱动电压灵活，兼容双极驱动方案
体二极管在硬换向事件下运行稳健
.XT 互连技术，可实现卓越的热性能