Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=238 A, 7针, PG-TO263-7, CoolSiC系列

RS 库存编号:: 349-322
制造商零件编号:: IMBG65R007M2HXTMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=238 A, 7针, PG-TO263-7, CoolSiC系列

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RS 库存编号:: 349-322
制造商零件编号:: IMBG65R007M2HXTMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	238A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	PG-TO263-7
	系列	CoolSiC
	安装类型	表面
	引脚数目	7
	最大漏源电阻 Rd	8.5mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	179nC
	最大功耗 Pd	789W
	最大栅源电压 Vgs	23V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 238A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 PG-TO263-7
	系列 CoolSiC
	安装类型表面
	引脚数目 7
	最大漏源电阻 Rd 8.5mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 179nC
	最大功耗 Pd 789W
	最大栅源电压 Vgs 23V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IMBG65R007M2HXTMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon CoolSiC 系列 MOSFET，最大漏源电压 650V，最大连续漏极电流 238A - IMBG65R007M2HXTMA1

该MOSFET是一种碳化硅N沟道增强型器件，专为高压开关和功率转换任务而设计。它可在宽环境温度范围内运行，因此适用于严苛的热环境，并采用表面贴装功率封装，便于集成到紧凑型组件中。

特性和优点：

• 650V漏极额定值，适用于高压开关应用
• 8.5mΩ Rds(on)，提供低导通损耗，确保高效率
• 238A的持续漏极电流，支持大电流负载
• 789W最大功耗可承受显著的热应力
• 典型栅极电荷为179nC，可实现可预测的栅极驱动需求
• PG-TO263-7表面贴装封装简化了PCB组装，便于大规模生产

应用

• 适用于工业电力系统中的反相器
• 适用于高功率电机驱动和牵引转换器
• 与可再生能源转换器和功率优化器配合使用
• 可用于高压DC-DC转换级
• 用于不间断电源和并网系统

在严苛的安装环境中，它能耐受什么样的温度范围？

它的额定工作温度范围为 -55°C 至 175°C，可在极端温度环境中运行。

应遵守哪些栅极驱动限制以确保安全操作？

栅源电压不得超过23V，以免对栅极结构造成应力。

在考虑PCB布局时，该封装提供多少个引脚？

该元件采用七针配置，适合标准表面贴装布置。

此器件是否适用于汽车特定认证要求？

它不属于车规级标准，但符合 RoHS 标准。