Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=750 V, 81 A, PG-HDSOP-22, 表面安装, 22引脚, IMDQ75R020M1HXUMA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 349-332
- 制造商零件编号:
- IMDQ75R020M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 349-332
- 制造商零件编号:
- IMDQ75R020M1HXUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 81A | |
| 最大漏源电压 Vd | 750V | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 包装类型 | PG-HDSOP-22 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 22 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 27mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 326W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 67nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 81A | ||
最大漏源电压 Vd 750V | ||
系列 CoolSiC | ||
包装类型 PG-HDSOP-22 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 22 | ||
最大漏源电阻 Rd 27mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 326W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 67nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon 750V CoolSiC MOSFET G1 基于 Infineon 20 多年来开发的固体碳化硅技术打造。通过利用宽带隙 SiC 材料的特性，750V CoolSiC MOSFET 可实现性能、可靠性和易用性的独特组合。这款 MOSFET 的设计可承受高温和恶劣的运行条件，适用于严苛应用。它能够简化且经济高效地部署系统，可满足恶劣环境中电力电子不断变化的需求。
Infineon 的专有芯片安装技术
出色的顶部冷却套件
提供驱动源插针
增强了稳健性，可承受超过 500V 的总线电压
卓越的硬开关效率
在软开关拓扑中具有更高的开关频率
针对单极栅极驱动具有抗寄生导通稳健性
杰出的散热性能
可通过改进栅极控制来减少开关损耗