Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=750 V, 89 A, PG-TO247-4, 通孔安装, 4引脚, IMZA75R016M1HXKSA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 349-339
- 制造商零件编号:
- IMZA75R016M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥225.70
(不含税)
¥255.04
(含税)
有库存
- 另外 240 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB225.70 |
| 10 - 99 | RMB203.13 |
| 100 + | RMB187.37 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-339
- 制造商零件编号:
- IMZA75R016M1HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 89A | |
| 最大漏源电压 Vd | 750V | |
| 包装类型 | PG-TO247-4 | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 22mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 81nC | |
| 最大功耗 Pd | 319W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 89A | ||
最大漏源电压 Vd 750V | ||
包装类型 PG-TO247-4 | ||
系列 CoolSiC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 22mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 81nC | ||
最大功耗 Pd 319W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon 750V CoolSiC 电源设备 G1 基于 Infineon 20 多年来开发的固体碳化硅技术打造。通过利用宽带隙 SiC 材料的独特特性，750V CoolSiC MOSFET 可实现性能、可靠性和易用性的独特组合。它专为高温和恶劣的操作条件而设计，能够以最高效率简化且经济高效地部署系统。该 MOSFET 适用于需要稳健性能和节能解决方案的应用。
增强了 500V 以上总线电压的稳健性和可靠性
卓越的硬开关效率
在软开关拓扑中具有更高的开关频率
针对单极栅极驱动具有抗寄生导通稳健性
可通过改进栅极控制来减少开关损耗