Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 202 A, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, 通孔安装, 4引脚, AIMZH120R010M1TXKSA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 349-372
- 制造商零件编号:
- AIMZH120R010M1TXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- AIMZH120R010M1TXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 202A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23 V | |
| 最大功耗 Pd | 750W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 178nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 202A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 PG-TO-247-4-STD-NT6.7 | ||
系列 CoolSiC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 11.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 23 V | ||
最大功耗 Pd 750W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 178nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon SiC MOSFET 具有出色的开关性能、抗寄生导通稳健性和改进的 RDSon 和 Rth(jc)。它拥有高功率密度、卓越效率、双向充电功能以及显著降低的系统成本，因此成为车载充电器和直流对直流应用的理想选择。
开关损耗极低
出色的开关能量
最低的设备电容
用于优化开关性能的感测插针
适用于高压爬电要求
引线更细，可降低焊桥风险