Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=202 A, 4针, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC系列

RS 库存编号:: 349-372
制造商零件编号:: AIMZH120R010M1TXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=202 A, 4针, PG-TO-247-4-STD-NT6.7, CoolSiC系列

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RS 库存编号:: 349-372
制造商零件编号:: AIMZH120R010M1TXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	202A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	包装类型	PG-TO-247-4-STD-NT6.7
	系列	CoolSiC
	安装类型	通孔
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	11.3mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	23V
	最大功耗 Pd	750W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	178nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q100, AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 202A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	包装类型 PG-TO-247-4-STD-NT6.7
	系列 CoolSiC
	安装类型通孔
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 11.3mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 23V
	最大功耗 Pd 750W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 178nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q100, AEC-Q101

Datasheet - AIMZH120R010M1TXKSA1

COO (Country of Origin):: CN

Infineon CoolSiC系列MOSFET，1200V漏源电压，202A连续漏极电流 - AIMZH120R010M1TXKSA1

这款N沟道增强型MOSFET是一款专为严苛电子系统中的高压开关应用而设计的碳化硅功率晶体管。它适用于需要稳健热性能和较高电压能力的应用，同时支持采用PG-TO-247-4封装的常规通孔‑安装。

特性和优点：

• 1200V 漏极额定电压，支持高压电路运行
• 202A 连续漏极电流，支持大电流负载
• 11.3 mΩ 低导通电阻，降低了导通损耗
• 750W 功耗，支持持续高功率使用
• 178nC 栅极电荷，便于控制开关动态
• 工作温度范围为-55至175°C，可耐受极端温度

应用

• 适用于工业系统中的高压电源转换器
• 适用于需要高电流的变频器级应用
• 与符合 AEC-Q101 标准的车规级电子元件配合使用
• 可用于可再生能源变频器模块
• 适用于恶劣热环境中的电源

该器件如何满足汽车级认证要求？

它符合公认的汽车应力测试标准，以满足汽车电子产品的可靠性需求。

设计人员应规划哪种安装方式？

该元件采用通孔‑PG-TO-247-4封装，确保牢固连接电路板并兼容电子散热器。

开关行为将如何影响栅极驱动设计？

在选择栅极驱动器规格以实现预期的开关速度并最大限度降低损耗时，设计人员应考虑 178nC 的典型栅极电荷。

它采用哪种极性和传导模式？

它作为增强型N沟道器件工作，在施加正栅源电压时导通。