Infineon N型沟道 增强型 功率晶体管, Vds=40 V, 451 A, PG-TSON-12, 表面安装, 12引脚, IQFH55N04NM6ATMA1, IQF系列
- RS 库存编号:
- 349-390
- 制造商零件编号:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB40.325 | RMB80.65 |
| 20 - 198 | RMB36.29 | RMB72.58 |
| 200 - 998 | RMB33.465 | RMB66.93 |
| 1000 - 1998 | RMB31.085 | RMB62.17 |
| 2000 + | RMB27.825 | RMB55.65 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 349-390
- 制造商零件编号:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率晶体管 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 451A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | IQF | |
| 包装类型 | PG-TSON-12 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 12 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.55mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 118nC | |
| 最大功耗 Pd | 214W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率晶体管 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 451A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 IQF | ||
包装类型 PG-TSON-12 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 12 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.55mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 118nC | ||
最大功耗 Pd 214W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6 功率晶体管，40V 专门针对低压驱动应用和电池供电系统进行了优化，适用于节能设计。它还针对同步应用程序进行了优化，可确保增强性能。MOSFET 具有极低的导通电阻 (RDS(on))，可将传导损耗降至最低，从而提高效率。此外，它还通过 100% 雪崩测试，可确保在严苛条件下性能可靠。
卓越的耐热性
N 通道
无铅电镀，符合 RoHS 标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准