Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=134 A, 3针, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6系列

RS 库存编号:: 349-400
制造商零件编号:: IPB068N20NM6ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=200 V, Id=134 A, 3针, PG-TO263-3, OptiMOS-TM6系列

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RS 库存编号:: 349-400
制造商零件编号:: IPB068N20NM6ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	134A
	最大漏源电压 Vd	200V
	系列	OptiMOS-TM6
	包装类型	PG-TO263-3
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	6.8mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	73nC
	最大功耗 Pd	300W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 134A
	最大漏源电压 Vd 200V
	系列 OptiMOS-TM6
	包装类型 PG-TO263-3
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 6.8mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 73nC
	最大功耗 Pd 300W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21
	汽车标准否

Datasheet - IPB068N20NM6ATMA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon OptiMOS-TM6 系列 MOSFET，300W 最大功耗，200V 最大漏源电压 - IPB068N20NM6ATMA1

这款 N 通道增强型 MOSFET 是一款高电流开关设备，专为需要低传导损耗和稳健热性能的电源管理应用而设计。它作为表面安装晶体管运行，采用 PG-TO263-3 封装，适用于在宽温度范围内需要紧凑、高功率开关的电路。

特性和优点：

• 200V 漏源额定值可实现高压开关能力
• 6.8mΩ 低 Rds(on)，可在高电流下减少传导损耗
• 134A 持续漏极电流，支持大电流应用
• 300W 功耗，支持持续的热负载
• 73nC 典型栅极电荷，提供快速栅极转换
• 工作温度范围为 -55 至 175°C，可承受恶劣温度环境

应用

• 适用于电源同步整流
• 适用于高压导轨中的 DC-DC 转换器
• 适用于需要高连续电流的电机驱动器
• 可用于工业电力系统中的负载开关
• 适用于高温电源管理模块

可靠的热接触需要哪种安装方式？

该设备专为表面安装而设计

PG-TO263-3 封装支持使用大型散热焊盘焊接至 PCB，有助于将热量传递到电路板和散热装置。

栅极驱动要求对开关设计有何影响？

最大栅源电压为 20V，典型栅极电荷为 73nC，因此栅极驱动器选择应提供足够的电流，以达到所需的开关速度，同时遵守Vgs限制。

它能够耐受哪些环境条件？

它符合指定标准，包括 RoHS 和指定的 IEC 温度/湿度应力等级，额定工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于苛刻的热环境。

哪些电气限制可防止过压？

该设备的最大漏源电压为 200V，其连续漏极电流额定值为 134A

设计应包括适当的电流限制和瞬态保护，以避免超过这些参数。