Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=200 V, Id=136 A, 3针, PG-TO220-3, IPP系列

RS 库存编号:: 349-410
制造商零件编号:: IPP069N20NM6AKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型功率晶体管, Vds=200 V, Id=136 A, 3针, PG-TO220-3, IPP系列

可享批量折扣

查看批量定价选项

小计（1 件）*

RMB74.41

(不含税)

RMB84.08

498 件将从其他地点发货
另外 500 件在 2027年2月18日发货

**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位	每单位
1 - 9	RMB74.41
10 - 99	RMB67.02
100 - 499	RMB61.73
500 - 999	RMB57.32
1000 +	RMB51.38

* 参考价格

RS 库存编号:: 349-410
制造商零件编号:: IPP069N20NM6AKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	功率晶体管
	最大连续漏极电流 Id	136A
	最大漏源电压 Vd	200V
	包装类型	PG-TO220-3
	系列	IPP
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	6.9mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	300W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	73nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	IEC61249-2-21, RoHS, J-STD-020
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型功率晶体管
	最大连续漏极电流 Id 136A
	最大漏源电压 Vd 200V
	包装类型 PG-TO220-3
	系列 IPP
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 6.9mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 300W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 73nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 IEC61249-2-21, RoHS, J-STD-020
	汽车标准否

Datasheet - IPP069N20NM6AKSA1

COO (Country of Origin):: MY

Infineon IPP 系列功率晶体管，200V 最大漏源电压，136A 最大连续漏极电流 - IPP069N20NM6AKSA1

这款功率晶体管是一款大电流N沟道增强型MOSFET，专为通孔组装过程中的功率开关和转换任务而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于需要大持续漏极电流和高电压处理能力的应用，并采用PG-TO220-3封装，便于安装。

特性和优点：

• 200V漏极电压支持高压开关任务
• 136A连续漏极电流支持重载运行
• 6.9mΩ的导通电阻（Rds(on)）可最大程度降低负载条件下的导通损耗
• 300W 耗散功率支持持续高功率使用
• 73nC的典型栅极电荷降低了开关转换能量
• 1V正向电压可降低二极管导通压降

应用

• 适用于高功率电机驱动级应用
• 适用于工业电源和反相器
• 用于电池管理系统的大电流路径
• 可用于服务器和电信设备的电源调节
• 适用于需要高电流的音频放大器输出级应用

实现快速开关需要考虑哪些栅极驱动因素？

栅极可承受高达 20V 电压

设计驱动器以提供足够的峰值电流来快速给73nC的栅极充电，同时遵守最大Vgs限制。

温度范围对于在电子散热器上的放置位置有何影响？

工作温度范围为-55°C至175°C，因此在选择热界面材料和确定电子散热器规格时，必须考虑300W功耗以及预期的环境条件。

PCB组装需要采用哪种安装方式？

该组件采用 PG-TO220-3 封装，专为通孔安装而设计，可实现牢固的机械固定以及与外部散热器之间的高效热耦合。

反向传导行为是否有限制？

该设备具有正向二极管特性，压降约为 1V

电路设计应在同步导通或体二极管导通期间考虑到这一点。