制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=99 A, 3针, PG-TO252-3, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 349-429
制造商零件编号:: IPD030N03LF2SATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=99 A, 3针, PG-TO252-3, OptiMOS系列

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RS 库存编号:: 349-429
制造商零件编号:: IPD030N03LF2SATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	99A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	OptiMOS
	包装类型	PG-TO252-3
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	3.05mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	83W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	16nC
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 99A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 OptiMOS
	包装类型 PG-TO252-3
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 3.05mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 83W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16nC
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IPD030N03LF2SATMA1

COO (Country of Origin):: CN

Infineon StrongIRFET 2 功率 MOSFET 30V 技术采用 DPAK 封装，具有杰出的 3mOhm RDS(on)。这款产品适用于从低开关频率到高开关频率的广泛应用。

通用产品

出色的坚固性

经销商广泛供货

标准封装和插针输出

高制造和供应标准

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