Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 73 A, PG-TO252-3, 表面安装, 3引脚, IPD040N03LF2SATMA1, OptiMOS系列
- RS Stock No.:
- 349-430
- Mfr. Part No.:
- IPD040N03LF2SATMA1
- Brand:
- Infineon
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| 250 - 490 | RMB5.113 | RMB51.13 |
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- RS Stock No.:
- 349-430
- Mfr. Part No.:
- IPD040N03LF2SATMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 73A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PG-TO252-3 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.05mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 75W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 21nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 73A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PG-TO252-3 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.05mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 75W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 21nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon StrongIRFET 2 功率 MOSFET 30V 技术采用 DPAK 封装，具有杰出的 4mOhm RDS(on)。这款产品适用于从低开关频率到高开关频率的广泛应用。
通用产品
出色的坚固性
经销商广泛供货
标准封装和插针输出
高制造和供应标准