Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 64 A, PG-TO-247, 通孔安装, 3引脚, IMW65R026M2HXKSA1, IMW65系列
- RS 库存编号:
- 351-864
- 制造商零件编号:
- IMW65R026M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 351-864
- 制造商零件编号:
- IMW65R026M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 64A | |
| 输出功率 | 227W | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-TO-247 | |
| 系列 | IMW65 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 21.5 mm | |
| 标准/认证 | JEDEC | |
| 高度 | 5.3mm | |
| 长度 | 16.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 64A | ||
输出功率 227W | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-TO-247 | ||
系列 IMW65 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 21.5 mm | ||
标准/认证 JEDEC | ||
高度 5.3mm | ||
长度 16.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
采用 TO-247-3 封装的 Infineon CoolSiC MOSFET 650V、26mΩ G2 以第 1 代技术的优势为基础，能够加速系统设计，提供成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第 2 代产品在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流级组合。
出色的品质因数 (FOM)
杰出的 RDS(on)
坚固耐用，整体质量高
灵活的驱动电压范围
支持单极驱动 (VGSoff=0)
出色的抗启动效应能力
改进了与 .XT 互连的封装