Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=650V, 53A, PG-TO247-4, 通孔安装, 4引脚, IMZA65系列
- RS 库存编号:
- 351-871
- 制造商零件编号:
- IMZA65R033M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 351-871
- 制造商零件编号:
- IMZA65R033M2HXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 53A | |
| 最大漏源电压 | 650V | |
| 封装类型 | PG-TO247-4 | |
| 系列 | IMZA65 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 53A | ||
最大漏源电压 650V | ||
封装类型 PG-TO247-4 | ||
系列 IMZA65 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
晶体管材料 SiC | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
采用 TO-247-4 封装的 Infineon CoolSiC MOSFET 650V、33mΩ G2 以第 1 代技术的优势为基础，能够加速系统设计，提供成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第 2 代产品在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流级组合。
出色的品质因数 (FOM)
杰出的 RDS(on)
坚固耐用，整体质量高
灵活的驱动电压范围
支持单极驱动 (VGSoff=0)
出色的抗启动效应能力
改进了与 .XT 互连的封装
4 针封装