Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 9.2 A, PG-TSON-8, 表面安装, 8引脚, IGLR65R200D2XUMA1, IGLR65系列
- RS 库存编号:
- 351-877
- 制造商零件编号:
- IGLR65R200D2XUMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB17.394 | RMB86.97 |
| 50 - 95 | RMB16.52 | RMB82.60 |
| 100 - 495 | RMB15.312 | RMB76.56 |
| 500 - 995 | RMB14.088 | RMB70.44 |
| 1000 + | RMB13.562 | RMB67.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 351-877
- 制造商零件编号:
- IGLR65R200D2XUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-TSON-8 | |
| 系列 | IGLR65 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.24Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 34W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.26nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | JEDEC for Industrial Applications | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 9.2A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-TSON-8 | ||
系列 IGLR65 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.24Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 34W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.26nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 JEDEC for Industrial Applications | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon GaN 功率晶体管可提高高频运行效率。作为 CoolGaN 650V G5 系列的成员，它符合高品质标准，可实现高度可靠的设计和卓越的效率。它采用底部冷却 ThinPAK 封装，非常适合外形纤薄的消费类应用。
650V 电子模式功率晶体管
超快开关
无反向恢复电荷
能够反向传导
低栅极电荷、低输出电荷
卓越的换向稳健性
低动态 RDS(on)
高 ESD 稳健性：2kV HBM - 1kV CDM
底部冷却封装
通过 JEDEC 认证（JESD47、JESD22）