Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 15 A, PG-HDSOP-16, 表面安装, 16引脚, IGLT65R110D2ATMA1, IGLT65系列
- RS 库存编号:
- 351-885
- 制造商零件编号:
- IGLT65R110D2ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB34.34 | RMB68.68 |
| 20 - 198 | RMB30.935 | RMB61.87 |
| 200 - 998 | RMB28.505 | RMB57.01 |
| 1000 - 1998 | RMB26.46 | RMB52.92 |
| 2000 + | RMB23.69 | RMB47.38 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 351-885
- 制造商零件编号:
- IGLT65R110D2ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 15A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | PG-HDSOP-16 | |
| 系列 | IGLT65 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.14Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| 最大功耗 Pd | 55W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | JEDEC for Industrial Applications | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 15A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 PG-HDSOP-16 | ||
系列 IGLT65 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 16 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.14Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.4nC | ||
最大功耗 Pd 55W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 JEDEC for Industrial Applications | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon GaN 功率晶体管可提高高频运行效率。作为 CoolGaN 650V G5 系列的成员，它符合高品质标准，可实现高度可靠的设计和卓越的效率。它采用顶部冷却 TOLT 封装，专为优化各种工业应用中的功率耗散而设计。
650V 电子模式功率晶体管
超快开关
无反向恢复电荷
能够反向传导
低栅极电荷、低输出电荷
卓越的换向稳健性
低动态 RDS(on)
高 ESD 稳健性：2kV HBM - 1kV CDM
顶部冷却封装
通过 JEDEC 认证（JESD47、JESD22）